2020年9月5日，第二届第三代半导體(tǐ)材料及装备发展研讨会在北京中國(guó)科(kē)學(xué)院半导體(tǐ)所學(xué)术会议中心成功举办。

本届会议由北京第三代半导體(tǐ)产业技术创新(xīn)战略联盟（以下简称“联盟”）、中关村产业技术联盟联合会集成電(diàn)路工作专业委员会主办，北京北方华创微電(diàn)子装备有(yǒu)限公司、國(guó)宏中宇科(kē)技发展有(yǒu)限公司、中晟光電(diàn)设备（上海）股份有(yǒu)限公司、山(shān)东力冠微電(diàn)子装备有(yǒu)限公司、深圳中科(kē)系统集成技术有(yǒu)限公司协办。会议目的是加强第三代半导體(tǐ)材料与装备企业之间及装备企业与产业链上下游企业之间的互动交流与协同合作，推进“材料、工艺、装备一體(tǐ)化”发展，加快装备國(guó)产化的需求与进程，实现第三代半导體(tǐ)产业的全面技术突破，缓解“卡脖子”问题。

科(kē)技部高新(xīn)技术发展司副司長(cháng)雷鹏，科(kē)技部高新(xīn)司材料处处長(cháng)孟徽，科(kē)技部高新(xīn)司材料处副调研员曹學(xué)军，联盟理(lǐ)事長(cháng)吴玲，北京大學(xué)理(lǐ)學(xué)部副主任、联盟副理(lǐ)事長(cháng)沈波，中國(guó)電(diàn)子科(kē)技集团公司第十三研究所副所長(cháng)、联盟装备委员会共同主任唐景庭，中國(guó)科(kē)學(xué)院半导體(tǐ)所副所長(cháng)杨富华，深圳第三代半导體(tǐ)研究院副院長(cháng)张國(guó)旗，中关村顺义园管委会主任张建國(guó)，北京新(xīn)材料和新(xīn)能(néng)源科(kē)技发展中心副主任蔡永香，中关村产业技术联盟联合会研究部主任段恒等嘉宾及产业链专家约200余位参加了本届大会。联盟于坤山(shān)秘书長(cháng)主持会议。

科(kē)技部高新(xīn)技术发展司副司長(cháng)雷鹏在致辞中提到科(kē)學(xué)技术是第一生产力，创新(xīn)是引领发展的第一动力。在“十四五”材料领域专项总體(tǐ)布局中，第三代半导體(tǐ)是重要方向。未来的技术发展绝对不是单一的技术发展，而是很(hěn)多(duō)技术的集成，我们要充分(fēn)发挥集中力量办大事的优势，组织行业联合攻关，协同创新(xīn)。在國(guó)际形势深刻变化的背景下，希望新(xīn)材料及第三代半导體(tǐ)的同仁们能(néng)同心协办共同奋斗，為(wèi)中國(guó)从大國(guó)到强國(guó)的转变贡献力量。

中國(guó)科(kē)學(xué)院半导體(tǐ)研究所副所長(cháng)杨富华在致辞中表示，我國(guó)第三代半导體(tǐ)核心材料和装备与美日欧等发达國(guó)家有(yǒu)较大差距，高端装备严重依赖进口，希望通过此次会议，研究出切实解决办法和各方合作机制，集全國(guó)智慧，突破核心技术真正实现中國(guó)制造。

联盟理(lǐ)事長(cháng)吴玲在致辞中讲到，第三代半导體(tǐ)是我國(guó)半导體(tǐ)产业发展的重要突破口。材料和装备是我们短板中的短板，我们需要在各方合作的基础上，合力推进我國(guó)第三代半导體(tǐ)全产业链同步提高，实现中华民(mín)族崛起的梦想。

随后，11位嘉宾分(fēn)别做了精彩的报告，现场气氛异常热烈。

北京大學(xué)理(lǐ)學(xué)部副主任、联盟副理(lǐ)事長(cháng)沈波教授做了《新(xīn)形势下我國(guó)第三代半导體(tǐ)产业面临的问题和发展机遇》的报告，报告系统的介绍了我國(guó)第三代半导體(tǐ)的发展现状，取得的主要成就，以及研发和产业力量分(fēn)布和发展趋势，分(fēn)析了当前该领域存在的问题和与國(guó)际上的差距，对我國(guó)第三代半导體(tǐ)研发和产业的未来发展提出了一些看法和建议。

中電(diàn)科(kē)13所副所長(cháng)，联盟装备委员会共同主任唐景庭做了《半导體(tǐ)关键装备的现状及國(guó)产化思考》的报告，指出了我國(guó)半导體(tǐ)产业面临的新(xīn)形势以及半导體(tǐ)装备现状，并进一步针对第三代半导體(tǐ)装备國(guó)产化从思维和具體(tǐ)操作层面提出建议。

中電(diàn)科(kē)電(diàn)子装备集团有(yǒu)限公司高级工程师巩小(xiǎo)亮带来了《SiC器件制造关键装备发展趋势及國(guó)产化进展》的报告，介绍了碳化硅器件制造关键装备的发展趋势和國(guó)产化进展，在碳化硅单晶、外延、芯片等环节國(guó)产装备已形成全面布局和以竞争促发展的良性局面。電(diàn)科(kē)装备经过多(duō)年持续研发，碳化硅单晶炉、高温能(néng)离子注入机、高温激活炉等关键装备已实现迭代升级和初步成套应用(yòng)。

东莞市天域半导體(tǐ)科(kē)技有(yǒu)限公司生产总监孔令沂做了《高压碳化硅電(diàn)力電(diàn)子器件研发进展及其典型装备需求》的报告，主要介绍了碳化硅外延生产線(xiàn)中的外延设备、检测设备、清洗设备等相关的技术更新(xīn)需求，提议為(wèi)后续碳化硅外延材料的广泛应用(yòng)做好相关设备的技术更新(xīn)准备。

全球能(néng)源互联网研究院高级工程师杨霏做了《高压碳化硅電(diàn)力電(diàn)子期间研发进展及其典型装备需求》的报告，报告结合碳化硅MOSFET最新(xīn)产业动态，分(fēn)析了对于碳化硅MOSFET芯片加工、封装测试装备的技术需求，结合國(guó)内设备技术水平，指出优先发展的國(guó)产化设备方向。

北京北方华创微電(diàn)子装备有(yǒu)限公司副总裁李谦做了《第三代半导體(tǐ)器件工艺设备國(guó)产化探讨》的报告，报告分(fēn)析了5G推动第三代半导體(tǐ)产业发展带来的新(xīn)机遇，新(xīn)挑战，阐述北方华创在衬底材料及器件工艺的國(guó)产化设备解决方案，同时引出思考。通过目前國(guó)内外形势带来的不确定性与确定性，表达北方华创愿与客户深化合作，跟进产业节奏，為(wèi)构建先进，安全，高效，稳固的國(guó)产产业链贡献一己之力。

英诺赛科(kē)（珠海）科(kē)技有(yǒu)限公司高级工艺总监謝(xiè)文(wén)元做了《硅基氮化镓产业化进展及装备需求》的报告，介绍了英诺赛科(kē)以IDM模式致力于第三代半导體(tǐ)氮化镓的产业化发展，现已成為(wèi)全球唯一能(néng)同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的公司。希望國(guó)产设备以性能(néng)佳价格优势进入，针对第三代半导體(tǐ)提前参与共同开发，共同攀登新(xīn)高地。

中微半导體(tǐ)设备（上海）股份有(yǒu)限公司副总裁郭世平做了《中微公司研发进展及对國(guó)产装备发展的几点思考》的报告，报告中汇报了中微公司刻蚀和MOCVD设备的研发进展及对國(guó)产装备发展的一些思考。

國(guó)宏中宇科(kē)技发展有(yǒu)限公司总经理(lǐ)、联盟装备委员会副主任赵然做了《碳化硅单晶及衬底片材料制备与装备研发的协同发展》的报告，介绍了國(guó)宏中宇科(kē)技发展有(yǒu)限公司在碳化硅单晶衬底片材料领域技术研发与产业化生产工作过程中基于材料与装备协同发展思路所取得的部分(fēn)进展，同时对研发过程中存在的材料与装备不足与问题提出了具體(tǐ)的协同发展建议。

中晟光電(diàn)设备（上海）股份有(yǒu)限公司董事長(cháng)陈爱华做了《产业链协同发展加快推动半导體(tǐ)装备國(guó)产化》的报告，报告了中晟MOCVD研发和产业化的进展，产品聚焦深紫外、GaN半导體(tǐ)分(fēn)立器件和GaAs/InP分(fēn)立器件应用(yòng)。陈董事長(cháng)根据中晟在产业链协同发展的实践，為(wèi)加快半导體(tǐ)装备國(guó)产化进程，解决安全和先进性，对产业链协同发展对提出了具體(tǐ)的建议。

大族激光科(kē)技产业集团股份有(yǒu)限公司半导體(tǐ)事业部博士李春昊做了《激光技术在第三代半导體(tǐ)领域的应用(yòng)》的报告，介绍了大族激光技术在第三代半导體(tǐ)产业中的应用(yòng)。主要包括：SiC晶圆的改质切割技术、SiC晶锭剥离技术、GaN激光开槽技术、SiC晶圆激光退火技术等。

中電(diàn)科(kē)13所副所長(cháng)，联盟装备委员会共同主任唐景庭主持了以生产过程中关键装备的國(guó)产化為(wèi)主题的互动环节。现场嘉宾围绕國(guó)内企业近年的装备需求、装备企业如何开展合作；如何推进装备國(guó)产化等问题进行了热烈的讨论。

在大会结束后，在联盟大会议室举行了联盟装备委员会闭门会议。