基于摩尔定律即将走到极限，各家半导體(tǐ)业者正寻求第三代半导體(tǐ)开发。所谓第三代半导體(tǐ)系指材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)及硒化锌等宽频半导體(tǐ)為(wèi)主，有(yǒu)别于第一代的硅(Si)、第二代的砷化镓(GaAs)之半导體(tǐ)材料。

根据市场研究机构预测，2027年，全球GaN半导體(tǐ)器件市场规模预计将达到58.5亿美元（折合人民(mín)币约408亿元），从2020年到2027年，复合年增長(cháng)率為(wèi)19.8%。市场增長(cháng)原因，因氮化镓(GaN)技术进步及在各种半导體(tǐ)器件产品应用(yòng)呈现增長(cháng)态势，例如：5G无線(xiàn)通信设备的需求(主要在國(guó)防通信领域、E类，F类和C类功率放大器)推动需求的成長(cháng)。

在航空航天和國(guó)防技术公司方面，例如LHX.US、NOC.US、BAESY.US正在与政府机构合作，将氮化镓半导體(tǐ)用(yòng)于军事電(diàn)子战(EW)系统和AESA雷达应用(yòng)。2012年2月，NOC.US公司设立了先进技术实验室，以开发用(yòng)于关键军事项目的氮化镓半导體(tǐ)。该公司与美國(guó)政府已投资超过3亿美元，用(yòng)于在军事系统中开发和集成GaN半导體(tǐ)，以增强太空，飞机和地面防御通信系统的功能(néng)。

一些公司动态，如恩智浦(NXPI.US)宣布在美國(guó)建厂所要生产5G用(yòng)芯片，材料也是氮化镓;Transphorm公司(硅芯片上氮化镓功率器件的初创公司)宣布已完成一筆(bǐ)3500万美元的E轮融资。本轮融资由日本创新(xīn)网络公司(INCJ)和日本國(guó)际電(diàn)子公司(NIEC)领导。

还有(yǒu)，電(diàn)动車(chē)辆的車(chē)载充電(diàn)站和EV充電(diàn)桩的供应设备中对GaN半导體(tǐ)装置的需求已经增加。例如，在2019年10月，名古屋大學(xué)发布了一款完全使用(yòng)氮化镓半导體(tǐ)装置的電(diàn)动汽車(chē)All GaNVehicle。与目前使用(yòng)SiC开发的電(diàn)动汽車(chē)相比，该汽車(chē)的效率提高了20%。由于这些芯片在車(chē)载资通讯娱乐主机(IHU)和高级驾驶员辅助系统(ADAS)等汽車(chē)应用(yòng)中的使用(yòng)量不断增加，因此预计8英寸芯片市场将受到高度关注。

由于，对高效和高性能(néng)射频零组件的需求不断增長(cháng)，以及中國(guó)、日本和韩國(guó)等國(guó)家的電(diàn)动汽車(chē)产量激增，亚太地區(qū)有(yǒu)望成為(wèi)GaN增長(cháng)最快的地區(qū)市场。例如，中國(guó)『十四五规划』投入10兆人民(mín)币抢占第三代半导體(tǐ)自主。

GaN半导體(tǐ)装置零组件，包括：晶體(tǐ)管、二极管、整流器、電(diàn)源IC及其他(tā)。

目前，氮化镓(GaN)半导體(tǐ)装置市场主要参与者：

· Cree(CREE.US)

· Efficient Power Conversion Corporation

· 富士通有(yǒu)限公司

· GaN Systems

· 英飞凌科(kē)技股份公司

· NexGen電(diàn)力系统(NXE.US)

· 恩智浦半导體(tǐ)

· Qorvo, Inc.(QRVO.US)

· 德州仪器公司(TXN.US)

· 东芝公司

从一些地區(qū)来看，日本也由政府集结上中下游产业合作发展GaN，5年内拨款90兆日圆资助研发氮化镓在半导體(tǐ)方面应用(yòng)的大學(xué)、企业，目标2020年代后半全面量产。虽然，碳化硅发展比氮化镓更成熟，但日本是全球第一个研发氮化镓的國(guó)家，而且发展為(wèi)成熟的材料自然有(yǒu)更多(duō)未来性，都可(kě)能(néng)是日本经产省决定押宝氮化镓的原因。物(wù)理(lǐ)學(xué)界曾有(yǒu)研究指出，若所有(yǒu)半导體(tǐ)都改用(yòng)氮化镓為(wèi)材料，目前所有(yǒu)電(diàn)子产品耗電(diàn)能(néng)减少10至25%。

中國(guó)计划正在制订的『十四五规划』(2021-2025年期间)将纳入第三代半导體(tǐ)产业发展，从教育、科(kē)研、开发、融资、应用(yòng)等等各个方面，大力支持发展第三代半导體(tǐ)产业，以期实现半导體(tǐ)产业独立自主。但目前尚不知是否集中发展GaN半导體(tǐ)。

欧盟也将上中下游产业聚集合作，抢攻第三代半导體(tǐ)产业发展。